熱電材料
發(fā)表時(shí)間：2019-09-08
使用Hot Disk技術(shù)可以很容易地測(cè)試小型熱電樣品。在這個(gè)例子中測(cè)試了兩組熱壓Bi?Te?, p和n型樣品,直徑12毫米和3.5毫米厚度。
樣品信息
兩組熱壓Bi?Te?, p和n型樣品,直徑12毫米和3.5毫米厚度
方法
基本模塊，室溫測(cè)試。使用7577型號(hào)Kapton探頭來(lái)匹配樣本大小。探頭半徑2mm能允許徑向探測(cè)深度4mm，軸向探測(cè)深度3.5 mm，因此厚度限制了可用探測(cè)深度。樣品表面經(jīng)過(guò)輕砂處理，以確保光滑的界面和良好的熱接觸。探頭被放置在樣品兩塊樣品中心，并牢牢夾住。
測(cè)試
對(duì)每個(gè)樣品組進(jìn)行一次初始測(cè)試，測(cè)試時(shí)間為4秒，加熱功率為50 mW。該加熱功率被證實(shí)可使p型和n型樣品的最終溫度升高接近3 K。對(duì)于n型試樣，測(cè)量時(shí)間縮短為3秒，使探測(cè)深度保持在試樣邊界內(nèi)。
準(zhǔn)確試驗(yàn)按下表進(jìn)行，反復(fù)試驗(yàn)間隔15分鐘:
最終結(jié)果
最終結(jié)果經(jīng)過(guò)計(jì)算后（選點(diǎn)40-180），如下表所示：
n型Bi?Te?顯示了比p型樣品更高的導(dǎo)熱系數(shù),。p型樣品的體積比熱是略低于理論(1.187 MJ / m³K) ,而n型標(biāo)品更低。這可能是由于n型樣品的密度較低或各向異性較大所致。
